SK 海力士追上三星成全球第二,量产 20 奈米 DRAM

SK 海力士追上三星成全球第二,量产 20 奈米 DRAM

SK 海力士终于赶上三星电子,成为全球第二家成功量产 20 奈米 DRAM 的厂商。该公司也力拚 3D NAND Flash 研发,期盼能在明年量产 48 层 3D NAND。

BusinessKorea 15 日报导,SK 海力士人员受访表示,该公司引入 20 奈米 DRAM 製程,过程虽有困难,但已经稳定,开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言,SK 海力士是世界第二家量产 20 奈米 DRAM 的业者。三星首开先例,去年 3 月就量产 20 奈米 DRAM。

SK 海力士也宣布 3D NAND 研发计画,社长朴星昱(Park Sung-wook)表示,计划今年逐步发展 36 层 3D NAND,明年全面量产 48 层 3D NAND,和三星较劲的意味浓厚。三星电子 8 月 10 日宣布,第三代 V-NAND 已正式量产,以 48 层 3-bit MLC 堆叠。

据传该公司有意拓展系统半导体业务,Park 说,这无法短时间内能办到,需要进一步提升能力,若不如此连购併都难以进行,将先发展内部实力,包括晶圆代工等,再来考虑下一步。